光刻热板与晶圆加热板

SAWATEC HP系列:软烘、PEB、硬烘与高温精密烘烤

光刻热板选型,温度均匀性比最高温度更关键

光刻胶软烘、曝光后烘烤(PEB)和硬烘对温度分布、升降温曲线、基板接触方式与重复性有不同要求。选择晶圆热板时,应同时确认基板尺寸与厚度、工艺温度、温度精度、Proximity间隙、N₂吹扫、HMDS处理和未来自动化方式。

SAWATEC HP-150实验室光刻热板实物
HP-150 光刻热板
最大150 mm、厚5 mm基板,室温至250°C,适合实验室与研发。
SAWATEC HP-200 8英寸晶圆热板实物
HP-200 晶圆加热板
最大200 mm、厚14 mm基板,24步温度曲线,标称精度±0.6°C(100°C)。
SAWATEC HP-200-Z九区精密光刻热板实物
HP-200-Z 多区热板
九区独立加热,最高300°C,标称精度±0.3°C(100°C)。

HP系列热板规格对比

机型基板范围温度范围典型定位
HP-150最大150 mm,厚度最大5 mm室温至250°C;±1°C(100°C)实验室、手动工艺开发
HP-200最大200 mm,厚度最大14 mm室温至250°C;±0.6°C(100°C)8英寸软烘、PEB与硬烘
HP-200-Z200 mm级精密工艺室温至300°C;±0.3°C(100°C)九区温控、PI固化与高精度烘烤
HP-300最大300 mm,厚度最大14 mm室温至250°C;±0.8°C(100°C)12英寸晶圆烘烤
HP-600 / HP-900大尺寸圆形或方形基板室温至200°C面板及超大尺寸基板

软烘、曝光后烘烤和硬烘有什么不同?

软烘(Soft Bake)

涂胶后去除溶剂并稳定胶膜。重点是避免过快升温、边缘温差和基板背面污染影响接触。

曝光后烘烤(PEB)

化学放大胶对时间与温度波动敏感,需重点评估全片温度均匀性和批次重复性。

硬烘与PI固化

更高温度和更长曲线要求可靠的升降温程序、N₂环境及材料兼容性;高精度需求可评估HP-200-Z。

热板选型需要确认的五项条件

基板尺寸与厚度

除直径外,还要确认方片、翘曲、重量、背面状态和装载方式。

温度窗口与精度

给出设定温度、允许偏差、保温时间及升降温速率。

接触或Proximity

厚胶、颗粒敏感或易翘曲基板需要评估针高和非接触间隙。

工艺气氛

确认是否需要N₂吹扫、HMDS预处理或低氧环境。

单机还是自动线

如需与匀胶、冷板、显影和机器人传片联动,应提前规划Duo、ROBO或集群系统。

用工艺温度曲线确定热板配置

提供基板图纸、材料、温度曲线、精度要求、气氛和节拍,可更快确定HP机型、针高、盖板及自动化配置。

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